| 型号：SPD07N60S5T | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 描述：MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 600 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 5.5V @ 350µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 35nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 970pF @ 25V |
| 功率_最大 | 83W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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